TSMC: 28-nm-Prozess bis 2010 serienreif

Die taiwanesische Foundry TSMC hat einen kompletten Fertigungsprozess für Strukturgrößen von 28 nm entwickelt. Anfang 2010 soll es erste Produkte geben.

Bei dem 28-nm-Prozess bietet TSMC erstmals einen »high-k metal gate«-Prozess an. Dabei werden ein Gate-Dielektrikum mit hoher Dielektrizizätskonstante und ein metallischer Leiter für das Gate verwendet.

Daneben gibt es einen weiteren Prozess, der auf Siliziumoxynitrid basiert: Bei diesem »LPT-Prozess« (low power/high performance) wird SiON als Dielektrikum verwendet. Damit lassen sich FETs mit einer sehr niedrigen Gate-Kapazität realisieren. Im Vergleich zum 40-nm-Prozess ist die Gatterdichte doppelt so hoch, die Transistoren schalten um 50 Prozent schneller und brauchen 30 bis 50 Prozent weniger Energie. Als mögliche Bauelemente kommen zum Beispiel Kommunikations-ICs, wie etwa Basisband-Chips in Frage.

Beim zweiten 28-nm-»HP-Prozess« (high performance) wird ein Dielektrikum mit hoher Dielektrizitätskonstante (high-k) verwendet. Im Vergleich zum 40-nm-Prozess ist die Leistungsaufnahme gleich. Die Transistoren schalten jedoch um 30 Prozent schneller. Mögliche Bauelemente sind Mikrocontroller, FPGAs oder Grafikprozessoren.

Ende des Jahres will TSMC den Prototyping-Prozess starten. Dabei schicken die Halbleiterhersteller ihre Designs an die Foundry, die dann probeweise Wafer fertigt und testet.