Toshiba verdoppelt Kapazität von FeRAMs

Ferroelektrische RAMs sind derzeit noch keine Alternative für NAND-Flash-Speicher oder DRAMs. Die Forschung macht jedoch Fortschritte. Forscher von Toshiba konnten die Kapazität eines FeRAM-Prototypen auf 128 Mbit erhöhen.

Toshiba hat auf der ISSCC (International Solid-State Circuit Conference)  einen 128-Mbit-FeRAM vorgestellt. Im Vergleich dazu: Auf dem Markt befindliche ferroelektrische RAMs bringen es derzeit auf Kapazitäten von 4 Mbit.

Den 64-Mbit-Vorgänger des neuen Prototypen stellte Toshiba bereits auf der ISSCC 2006 vor. Neben der Kapazität konnten die Forscher auch die Datenübertragungsrate stark verbessern. Dank einer Zugriffszeit von 43 ns können die aktuellen Prototypen 1,6 GByte pro Sekunde übertragen. Vor zwei Jahren waren es »nur« 200 MByte/s.

Die Speicherzelle ist mit einer Fläche von 0,252 µm² fast dreimal kleiner im Vergleich zu den 0,7191 µm² vor zwei Jahren.

Dazu musste Toshiba die Prozessgröße von 130 nm nicht ändern. Die Forscher haben dazu die Abstände der einzelnen Bit-Leitungen minimiert und den so gewonnenen Platz dazu genutzt, die Anzahl der Speicherkondensatoren zu verdoppeln. Um Störsignale beim Lesen oder Schreiben zu unterdrücken, werden die an eine aktive Bit-Leitung angrenzenden Leitungen deaktiviert.



Außerdem haben die Toshiba-Forscher den FeRAM mit einer DDR2-Schnittstelle versehen, so dass er in gängigen Anwendungen eingesetzt werden könnte. Über die Leistungsaufnahme gibt es keine Angaben.

Toshiba fertigt derzeit noch keine FeRAMs, sondern forscht lediglich auf diesem Gebiet. Hauptproblem der FeRAMs ist nach wie vor, dass sie größer als DRAM oder NAND-Flash sind, und sich daher nicht so große Speicherkapazitäten erreichen lassen. Die weitere Skalierung in kleinere Prozesstechniken soll ebenfalls schwieriger sein.