Texas Instruments: Details zum 45-nm-Prozess

Während des »VLSI Technology Symposiums« in Honolulu präsentiert Texas Instruments erste Details zu seiner Prozesstechnologie mit 45-nm-Strukturen.

TI will mit Hilfe des neuen Prozesses die Geschwindigkeit um 30 Prozent steigern und gleichzeitig die Leistungsaufnahme um 40 Prozent senken. Auch der 45-nm-Prozess von TI basiert auf seiner SmartReflex-Technik und seiner DRP-Architektur (Digital RF Processor). Darüber hinaus steht für diesen Prozess eine Vielzahl von analogen Komponenten wie Widerstände, Spulen und Kondensatoren zur Verfügung.

Bei 45 nm setzt TI zum ersten Mal auf Immersion-Lithographie mit einer Wellenlänge von 193 nm. TI konnte mit seiner Immersion-Lithographie die nach eigenem Bekunden kleinste 45-nm-SRAM-Speicherzelle fertigen: Sie sei um bis zu 30 Prozent kleiner als andere bislang bekannte Speicherzellen mit 45-nm-Strukturen. TI setzt bei diesem Prozess auf ein Ultra-Low-K-Dielektrikum (2,5), wodurch sich die parasitären Kapazitäten um 10 Prozent senken lassen.