Synchrongleichrichter-MOSFETs

Auf Applikationen in Stromversorgungen mit sekundärer Synchrongleichrichtung und Vollbrückentopologie zugeschnitten sind die 75- und 100-V-HEXFET-Power-MOSFETs IRFB3077PbF und IRFB4111PbF von

Auf Applikationen in Stromversorgungen mit sekundärer Synchrongleichrichtung und Vollbrückentopologie zugeschnitten sind die 75- und 100-V-HEXFET-Power-MOSFETs IRFB3077PbF und IRFB4111PbF von International Rectifier. Beide Bauteile sind in TO220-Gehäusen untergebracht. Beim IRFB3077PbF handelt es sich um ein 75-V-MOSFET mit einem maximalen Druchgangswiderstand von 3,3 mOhm. Der Baustein ermöglicht eine höhere Leistungsdichte durch die Reduzierung der verwendeten Bauelemente um 30 Prozent. Einen maximalen Durchgangswiderstand von 4 mOhm weist dagegen das 100-V-MOSFET IRFB4110PbF auf. Beide Bauteile sind bleifrei und RoHS-konform. International Rectifier Telefon: (06102) 884-400, Telefax: (06102) 884-433