Speicher: NOR-MLCs mit 65-nm-Strukturen

Intel wird Ende des zweiten Quartals Testmuster seiner Multi-Level-Cell-NOR-Flash-Speicher liefern, die erstmals auf 65-nm-Prozess-Strukturen basieren und eine Speicherdichte von 1 GBit bieten.

Brian Harrison, Vice President und General Manager der Flash Memory Group: »Unsere 65-nm-Fertigungstechnologie wird die Performance unserer Flash-Speicher verbessern und den Weg für funktionsreichere Handys ebnen.« Seit der zweiten Jahreshälfte 2005 fertigt Intel bereits andere Halbleiter mit 65 nm und bietet Prozessoren an, die auf dieser Fertigungsgeometrie basieren.