Schneller Mobile DRAM mit hohem Datendurchsatz

Micron liefert Muster eines neuen 512-Mbit-Mobile-DRAM aus, der bei einer Taktung von 200 MHz einen Datendurchsatz von 400 Mbit/s erreicht.

Nach Angaben von Micron ist der Speicher damit der schnellste 512-Mbit-Mobile-DRAM auf dem Markt. Die Speicher sind mit Versorgungsspannungen von 1,8 V oder 1,2 V erhältlich. Der Temperaturspanne reicht von -40 bis +85 °C. Die Massenproduktion soll im zweiten Quartal dieses Jahres beginnen.

Micron will den neuen Mobile DRAM zusätzlich mit NAND Flash bestücken und ihn u.a. in einem Multi-Chip-Package anbieten.