Samsung verbessert Flash-Lebensdauer

Samsung hat mit Sun zusammen einen NAND-Flash-Speicher entwickelt, der fünfmal so viele Schreib-Lösch-Zyklen verkraftet wie bisherige Zellen.

Samsung hat im Rahmen einer Kooperation mit Sun besonders langlebige Flash-Speicher entwickelt. Dabei entstand ein 8-Gbit-NAND-Flash in Single-Level-Cell-Technik, der fünfmal so viel Schreib-/Löschzyklen aushält wie bisherige Flash-Speicher. Laut Herstellerangaben liegt diese Zyklenzahl bisher bei 100.000 bis 1.000.000 Löschvorgängen. Für den Einsatz in Solid-State-Disks ist dies noch relativ wenig, da in einem Dateisystem durch häufige Zugriffe auf die Dateizuordnungstabelle immer die gleichen Speicherstellen gelöscht und neu geschrieben werden.

Sun ist in die Kooperation eingestiegen, weil die neuen Flash-Speicher mit der Bezeichnung »ultra-endurable« für Server-Anwendungen zum Einsatz kommen sollen. Hier verursachen die Festplatten in großen Server-Schränken durch ihre Wärmeabgabe ein Kühlungsproblem. Flash-Speicher würde weniger Strom verbrauchen als eine Festplatte, würde den Kühlaufwand verringern und wäre bei Lesevorgängen auch noch erheblich schneller. Samsung spricht von einer »tausendfachen« Beschleunigung der Leserate bei transaktionsorientierten Datenbankanwendungen, d.h. beim wahlfreien Zugriff auf kleine Datenmengen, bei denen eine Festplatte jeweils erst den Kopf in die richtige Position bringen muss.