Massenproduktion gestartet Samsung stellt DDR4-Arbeitsspeicher her

Die Halbleitersparte von Samsung wird ab sofort mit der Massenproduktion von DDR4-SDRAMs beginnen. Die Speichermodule der neuesten DRAM-Generation sind sparsamer und schneller, werden allerdings vorerst nur in großen Rechenzentren und Unternehmensservern eingesetzt.

Samsungs DDR-4-Chips haben eine Kapazität von 4 Gigabit und werden in Modulen von bis zu 32 Gigabyte angeboten. Auch die Geschwindigkeit der Datenübertragung hat zugelegt - 2.667 Megabit pro Sekunde bedeuten eine Verbesserung von 25 Prozent gegenüber der Vorgängertechnologie. Dabei sei die Energieaufnahme der neuen Speicher um etwa 30 Prozent niedriger als bei vergleichbaren DDR3-Modulen, teilte Samsung mit. Zu Lieferterminen oder der Preisgestaltung machten die Koreaner keine Angaben.

Die 32GB DDR4-Module seien laut Samsung für den »Premium«-Servermarkt gedacht. Hier sollen sie ihre Vorteile – größere Leistungsfähigkeit bei geringerer Energieaufnahme – ausspielen. Gemeint sind womöglich Intel Xeon-Systeme auf Haswell-Basis. Für eine ähnliche Zielgruppe hatte Samsung in diesem Jahr bereits DDR3-Speicher mit 16GB auf den Markt gebracht.

Die neuen Speicher-Chips werden in 20-nm-Strukturen gefertigt. Bei Samsung wird erwartet, dass die schnellen DDR4-Module die Nachfrage nach den großen 16- und 32-Gigabyte-Speichern anschieben wird. Aktuell sind 8-Gigabyte-DRAMs die Regel, welche in 30-Nanometer-Technik hergestellt werden.

Hintergrund: Der DDR4-Standard

Das Normierungsgremium JEDEC Solid State Technology Association hatte sich bereits 2007 erste Gedanken über die Spezifikationen für einen neuen Speicher-Standard gemacht. Im September 2012 wurden die Rahmenbedingungen für DDR4-SDRAM (double data rate fourth generation synchronous dynamic random-access memory) dann offiziell verabschiedet.

DDR4-Speicher werden, wie auch schon DDR3-SDRAMs, mit 8-bit Prefetch betrieben. Bei der aktuellen Generation gab es also keine Verdoppelung des Prefetch-Faktors, was bei früheren DDR-SDRAM Generationenwechseln üblich war. Allerdings sind die Taktraten der neuen Speicher gestiegen, bis zu 3.200 MHz (DDR4-3200) sind möglich. Auch die Datenübertragungsrate steigt mit den aktuellen Standard: Von 800 bis 2133 Megatransfers pro Sekunde bei DDR3 auf 2133 bis 4266 MT/s. Die Chips werden außerdem bei einer geringeren Spannung von 1,2 Volt betrieben. DDR4-Module sind aufgrund dieser unterschiedlichen Spannung und einer anderen physischen Schnittstelle nicht mit älteren SDRAMs kompatibel.

Im Mai 2012 hatte Samsungs Konkurrent Micron bereits erste DDR4-Testmodule an wichtige Kunden verschickt. Ebenfalls im letzten Sommer hatte Samsung erste 16GB-Module der DDR4-Speicher gefertigt.