Qimonda startet neue DRAM-Technologie

Der Speicherhersteller hat die Volumenproduktion von DRAMs in der neuen Buried-Wordline-Technologie gestartet. Die Strukturgröße dieser Chips liegt derzeit bei 65 nm.

Die Fertigung der 1-Gbit-DDR2-Chips mit der Buried-Wordline-Technologie läuft bereits seit Oktober in Qimondas Dresdner Fab. Im Vergleich zur derzeit verwendeten Trench-Technologie in 75 nm soll die Anzahl der Bits pro Wafer um 40 Prozent höher sein. Der Prozess soll auf weitere Fertigungskapazitäten ausgeweitet werden. Qimondas Kunden hatten bereits Testmuster der neuen DRAMs bekommen.

Außerdem konnte Qimonda bereits funktionsfähige DRAMs in 46 nm in Dresden fertigen. Die 2-Gbit-DDR3-Chips befinden sich noch in der Testphase und sollen wie geplant Mitte 2009 auf den Markt kommen.

Durch die Buried-Wordline-Technologie (siehe Video) ist es möglich, die Zellgrößen der DRAMs deutlich kleiner zu machen und damit die Leistungsaufnahme zu reduzieren sowie mehr Bits auf einem Wafer unterzubringen. Ziel ist es, diese Technologie bis spätestens 2011 auf Strukturgrößen von 30 nm zu skalieren.