PowerMOSFET mit 30-prozentigem Performance-Zuwachs

NEC Electronics Europe stellt einen neuen PowerMOSFET vor, den das Unternehmen in der neuesten PowerMOSFET-Prozesstechnologie fertigt.

Der neue PowerMOSFET erlaubt die Verwendung kleinerer und leistungsfähigerer Batterien für die nächste Generation tragbarer elektronischer Geräte. Der auf einer 0,25-µm-Geometrie basierende UMOS-5-Prozess erlaubt neben einem 30-prozentigen Performance-Zuwachs gegenüber früheren Prozessen auch einen industrieweit unerreicht niedrigen RDS(on) von nur 5,3 mOhm/qmm. Mit diesem Bauteil lassen sich hoch entwickelte Batterieschutzlösungen für leistungsfähige, kosteneffektive Lithium-Ionen-Akkus verwirklichen, die einen hohen Ausgangsstrom liefern können und dennoch wirksam gegen Überhitzung geschützt sind.

Die Prozesstechnologie UMOS-5 von NEC Electronics bedeutet einen entscheidenden Schritt nach vorn.

Durch eine optimierte Struktur der Gate-Elektrode in der Prozesstechnologie UMOS-5 ist es möglich, die Kanalweite gegenüber einem gleich großen PowerMOSFET auf Basis des UMOS-4 Prozesses bis um den Faktor 2 zu steigern. Muster des MOSFET µPA2450CT wird es ab Januar 2007 geben. Die Massenproduktion soll im Frühjahr 2007 starten.