Power-MOSFETs für schnelle Schaltanwendungen

<p>KEC (Vertrieb: First Components), größter Hersteller von diskreten Elektronikkomponenten in Korea, bietet seit kurzem einen 4,8 A Dual-Power-MOSFET im SO-8 SMD-Gehäuse an.

KEC (Vertrieb: First Components), größter Hersteller von diskreten Elektronikkomponenten in Korea, bietet seit kurzem einen 4,8 A Dual-Power-MOSFET im SO-8 SMD-Gehäuse an. Durch seine niedrige Gate-Kapazität von 805 pF eignet er sich gut für schnelle Schaltanwendungen. Seine Schwellenspannung beträgt typischer Weise 1,8 V, im Maximalfall 2,5 V. Die maximale Sperrschicht-Temperatur des MOSFETs liegt bei +150 °C. Zu den weiteren technischen Features zählen ein On-Widerstand von 50 mOhm, der typische On-Widerstand beträgt sogar nur 38 mOhm bei 4,5 V. Beim RoHS-konformen KMB4D8DN55Q handelt es sich um einen Dual N-Kanal Enhancement MOSFET mit 4,8 A und 55 V Spannungsfestigkeit in Trench-Technologie. Seine maximale Verlustleistung bei +25 °C beträgt 2 W.

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