Power-MOSFETs für den Computing-Bereich

<p>Bei On Semiconductors jüngsten 18 n-Kanal-Power-MOSFETs handelt es sich um 30-V-Bausteine mit einer Stromtragfähigkeit von 35 bis 191 A.

Bei On Semiconductors jüngsten 18 n-Kanal-Power-MOSFETs handelt es sich um 30-V-Bausteine mit einer Stromtragfähigkeit von 35 bis 191 A. Sie bieten RDS(on)-Werte von 2 bis 15 mOhm. Zudem verfügen die Power-MOSFETs über eine niedrige Gatterladung sowie eine niedrige Gatterladungsrate. Dies senkt Leitungs- und Schaltverluste. Acht der neuen Bauteile werden in einem DPAK-Gehäuse angeboten und sind bei Bestellmengen ab 10.000 MOSFETs zu Nettopreisen zwischen 40 und 87 US-Cent zu haben. Die übrigen zehn Power-MOSFETs sind in Flat-Lead SO-8-Gehäusen untergebracht. Ein aufgesetztes Metallplättchen auf der Rückseite sorgt für eine bessere Wärmeabfuhr. Bei einem Auftragsvolumen von 10.000 Bauteilen liegt der Nettopreis hier zwischen 71 und 91 US-Cent pro Power-MOSFETs.

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