OptiMOS-3-MOSFETs jetzt im Kleingehäuse

Auf der PCIM hat Infineon seine OptiMOS-3-MOSFETs für den Niederspannungsbereich in den SMD-Gehäusen SuperSO8 und S3O8 vorgestellt. Ihr Duchlasswiderstand liegt im einstelligen mΩ-Bereich.

Nachdem es die 40-V-Variante bereits im SuperSO8-Gehäuse (6 mm x 5 mm) und im S3O8-Gehäuse (3 mm x 3 mm) gab, sind nun die 60-V- und die 80-V-Varianten neu dazugekommen.

Im SuperSO8-Gehäuse erzielen die N-Kanal-MOSFETs dabei den, nach Angaben von Infineon, geringsten Durchlasswiderstand, den es gibt. Bei der 40-V-Variante sind das 1,8 mΩ, bei 60 V sind es 2,8 mΩ und 4,7 mΩ bei 80 V. Niedrig ist auch die Induktivität der Gehäuse, die bei 0,5 nH liegt. Der thermische Widerstand zwischen Sperrschicht und Gehäuseoberfläche beträgt 16 K/W. Auf der Leiterplatte ist der thermische Widerstand 1 K/W groß.  Die MOSFETs können einem kontinuierlichen Strom von 100 A standhalten.

Die MOSFETs gibt es je nach Preis mit unterschiedlichen Durchlasswiderständen. Die Produktion der 60-V-Familie ist bereits angelaufen, für 40 V und 80 V gibt es Muster.