NXP: Neue MOSFETs in Mini-Gehäusen

Die neuen MOSFETs von NXP im SOT883-Gehäuse brauchen deutlich weniger Platz als ihre Vorgänger.

NXP hat einige seiner MOSFETs in eines der kleinsten verfügbaren Gehäuse gepackt. Die Abmessungen des kleinsten SOT883 mit drei Pins betragen 1 mm x 0,6 mm x 0,4 mm. Damit ist die Fläche der MOSFETs um 90 Prozent kleiner, als im SOT23-Gehäuse.

Das Gehäuse ist bleifrei verzinnt. Die Verlustleistung der MOSFETs beträgt 2,5 W. Der Einschaltwiderstand Rds(on) liegt je nach Typ zwischen 300 mΩ (bei 20 V und 2,28 A) und 900 mΩ (bei 60 V und 1,22 A). Die Einschaltzeit liegt zwischen 12 und 16 ns, die Ausschaltzeit zwischen 17 und 24 ns.

Die neuen MOSFETs sind unter den Bezeichnungen PMZ760SN, PMZ390UN, PMZ250UN, PMZ270XN und PMZ350XN ab sofort verfügbar.