NOR-Flash für Embedded und Industrie mit 2 Gbit

Die NOR-Flash-Speicher der M29EW-Familie von Numonyx gibt es mit Kapazitäten von 256 Mbit bis 2 Gbit. Bisher gab es diese Speicher nur bis 128 Mbit.

Die Speicher sind in 65 nm gefertigt und erfüllen die Standards für industrielle Anwendungen. Sie basieren auf der von Intel entwickelten StrataFlash-Technologie. Die Zugriffszeit liegt zwischen 90 und 100 ns. Die Schreibrate erreicht dabei 1,5 Mbyte/s. Die E/A-Spannung reicht von 1,65 bis 3,6 V.

Durch die von Numonyx entwickelte »Krypto«-Technologie lassen sich die Speicher mit einem 64-bit-Passwort vor unerwünschten Zugriffen geschützt. Außerdem gibt es einen Schreibschutz.

Als Zielmarkt für die MLC-Speicher (Multi Level Cell) gilt der »embedded«-Markt, den Intel 2005 erstmals mit NOR-Flash-Speichern adressierte. Zu diesem Markt gehören in erster Linie Anwendungen, die nicht zum Mobilfunkgeschäft zählen. Außerdem sind die Produktlebenszyklen der Speicher deutlich länger.

Die 256-Mbit-Version gibt es ab sofort als Muster, größere Versionen sollen im nächsten Jahr folgen.