Nichtflüchtige SRAMs mit 8 Mbit

Die neuen nichtflüchtigen SRAMs von Cypress Semiconductor erreichen eine Speicherkapazität von 8 Mbit und Zugriffszeiten von 20 ns.

Mit den neuen SRAMs CY14B102 (2 Mbit) und CY14B108 (8 Mbit) deckt Cypress nun einen Bereich von 16 Kbit bis 8 Mbit ab.

Die neuen in 0,13-µm-Technologie gefertigten nichtflüchtigen SRAMs bieten Zugriffszeiten von 20 ns und eine unbegrenzte Zahl von Lese- und Schreib-Zugriffen. Sie sollen sich als Ersatz für flüchtige SRAMs, EPROM oder EEPROM eignen.

Die Betriebsspannung der Speicher reicht von 2,7 bis 3,6 V. Sie sind außerdem für die Temperaturbereiche für Automotive und die Industrie ausgelegt. Die Fertigung soll im dritten Quartal beginnen.

Die nichtflüchtigen SRAMs von Cypress benötigen keine Batterie sondern greifen auf die Ladung eines externen Kondensators zurück.