Micron und Nanya wollen gemeinsam DRAMs entwickeln

Micron und der taiwanesische Speicher-Hersteller Nanya haben eine Absichtserklärung zur gemeinsamen Entwicklung von DRAM-Technologie unterzeichnet. Ziel sind Strukturgrößen unter 50 nm.

Die beiden Speicherhersteller prüfen derzeit eine gemeinsame Zusammenarbeit für ein gemeinsames Entwicklungsprogramm für DRAMs. Ein endgültiger Vertrag soll innerhalb der nächsten Monate geschlossen werden. Ziel der gemeinsamen Entwicklungsarbeit sind DRAMs in Strukturgrößen unter 50 nm. Beide Unternehmen könnten somit Entwicklungskosten auf dem umkämpften DRAM-Markt sparen.

Mark Duncan, President und COO von Micron, begründete die Zusammenarbeit mit Nanya darüber hinaus mit der Nähe zum wachsenden Kundenstamm, womit er China meinen dürfte.