Lötbare Single-Chip NV-SRAM-Module

Die neuen hochintegrierten Single-Chip SMD nichtflüchtige SRAM-Module DS2070W (2 M x 8 Bit) und DS3070W (2 M x 8 Bit mit RTC) inklusive Batterie von Dallas Semiconductor sind für das Reflow-Lötverfahren geeignet.

Sie sind direkt aus ihren Verpackungseinheiten maschinell platzierbar, auch zu Standard SMT-Prozessen kompatibel und halten einer maximalen Reflow-Temperatur von +225 Celsius (+0/-5° Celsius) 30 Sekunden lang stand. Die DS2070W/DS3070W sind vollständig integrierte Speichermodule und gewähren Datenerhalt bei unerwarteten Ausfällen der Versorgungsspannung, die permanent überwacht wird. Die Module sind anstelle von SRAM-, EEPROM- oder Flash-Speichern einsetzbar und mit 32 K x 8 Bit bis 2 M x 8 Bit organisiert. Alle Integrationsstufen haben denselben Footprint und Pinout, so dass höhere Speicherdichten möglich sind, ohne dass ein Re-Design notwendig wäre. Die Module sind in einem 27 mm x 27 mm, 256-BGA Gehäuse erhältlich und RoHS-konform. Der Temperaturbereich ist zwischen -40 °C und +85 °C spezifiziert.