Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Durchlasswiderstand

Infineon hat neue OptiMOS-3-Leistungs-MOSFETs herausgebracht, mit denen sich Leistungsverluste um bis zu 30 Prozent senken lassen.

Die drei neuen OptiMOS-3-Familien sind N-Kanal-MOSFETs, die für Durchlassspannungen von 40 V, 60 V und 80 V ausgelegt sind.

Die 40-V-Familie im SuperSO8-Gehäuse hat einen Durchlasswiderstand von 1,6 mΩ. Das ist nach Angaben von Infineon weniger als die Hälfte von vergleichbaren Bauelementen. Der thermische Widerstand beträgt 1 °C/W, der maximale Strom beträgt 100 A. Die 40-V-Familie gibt es außerdem in einer Variante in einem S3O8-Gehäuse (3 mm x 3 mm).

Die 60-V-Familie hat in einem D-PAK-Gehäuse einen Durchlasswiderstand von 3,5 mΩ. Die 80-V-Familie hat in einem TO-220-Gehäuse einen Durchlasswiderstand von 2,8 mΩ. Der thermische Widerstand beträgt dabei 0,5 °C/W. Auch hier beträgt der maximale Strom 100 A. Nach Angaben von Infineon bietet der nächste Wettbewerber einen Durchlasswiderstand von 3,3 mΩ in der Klasse der 80-V-MOSFETs.

Die OptiMOS-3-Leistungs-MOSFETs gibt es auch in allen gängigen TO-Gehäusen. Die Produktion der 60-V-Familie ist schon teilweise angelaufen. Die 40-V und 80-V-Varianten werden derzeit noch als Muster ausgeliefert.

DIE MOSFETs eignen sich für den Einsatz in Schaltnetzteilen, Gleichspannungswandlern, Gleichstrom-Antrieben in Computern, Haushaltsgeräten oder elektrischen Kleinfahrzeugen.