Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand

STMicroelectronics hat einen neuen 250-A-MOSFET herausgebracht, der einen Einschaltwiderstand von 1,5 mΩ erreicht. Möglich wird dieser Wert durch das Flachdraht-Bonden des Chips.

Der STV250N55F3 von STMicroelectronics ist ein n-Kanal-MOSFET. Sein typischer Widerstand im eingeschalteten Zustand beträgt 1,5 mΩ und maximal 2,2 mΩ. Der MOSFET ist für Anwendungen bis 55 V und einen Dauer-Drainstrom von 250 A ausgelegt. Bei 25 °C ist der STV250N55F3 für eine Verlustleistung von 300 W spezifiziert.

Die elektrischen Verbindungen zwischen Chip und den Pins des PowerSO-10-Gehäuses werden per Flachdraht-Bonden hergestellt. Durch den im Vergleich zum Runddraht-Bonden höheren Querschnitt ist der Leitungswiderstand kleiner.

Einsatzgebiet für den bis 175 °C spezifizierten STV250N55F3 sind in erster Linie elektrische Antriebe für beispielsweise Gabelstapler, Rasenmäher oder Elektrofahrräder.

Muster des STV250N55F3 sind bereits verfügbar. Die Massenfertigung soll im 3. Quartal beginnen. Ab einer Menge von 10.000 kostet der MOSFET 2,50 Dollar.