Kurzschlussfeste IGBTs

In den für Nennspannungen von 1700 V spezifizierten IGBT-Modulen der »A«-Serie kombiniert Mitsubishi (Vertrieb: Glyn) die Vorteile der CSTBT-Chiptechnik mit LPT-Wafern.

Die neuen Bauteile erreichen dadurch bei Kollektor-Nennstrom und einer Sperrschichttemperatur von +125 °C eine Sättigungsspannung von typischerweise 2,4 V. Es kommt ein Gehäuse mit besonders niedrigen Induktivitäten zum Einsatz, ein AIN-Isolationssubstrat ermöglicht gute Werte für den thermischen Widerstand. Die Halbbrückenmodule sind für Nennströme zwischen 75 A und 400 A spezifiziert.