Kleinste SRAM-Zelle

IBM hat die weltweit kleinste funktionsfähige SRAM-Speicherzelle für die 22-nm-Chip-Generation vorgestellt.

Die SRAM-Zelle basiert auf einem konventionellen 6-Transistor-Design und hat eine Fläche von nur 0,1 μm2. An dem Entwicklungsprojekt sind auch AMD, Freescale, STMicroelectronics, Toshiba und das College of Nanoscale Science and Engineering beteiligt. Die Forscher haben das SRAM-Zellen-Design und das umgebende Schaltkreis-Layout optimiert, um die Stabilität zu verbessern.

Zusätzlich haben sie verschiedene neue Herstellungsprozesse entwickelt, die den Weg für die neue SRAM-Zelle ebnen sollen. Die Entwicklungsallianz hat dabei eine High-NA-Immersionslithographie verwendet, um die Pattern-Dimensionen und -Dichten zu übertragen, und die Einzelteile in einer 300-mm-Halbleiter-Forschungsumgebung hergestellt.

Zu den verwendeten Technologien in der SRAM-Zelle zählen unter anderem High-K-Metal-Gate-Stacks, Transistoren mit weniger als 25 nm Gatelänge, neuartige Co-Implantate und speziell bearbeitete Kupferkontakte. Die 22-nm-Größenordnung wird voraussichtlich in der übernächsten Chip-Generation erreicht.