Intels 32 nm-Prozess erhöht Transistor-Schaltgeschwindigkeit um 20 %

Auf der IEDM hatte Intel seinen 32-nm-Prozess genauer vorgestellt. Um zu zeigen, dass es funktioniert, wurde eine SRAM-Zelle mit noch nicht da gewesener Speicherkapazität gezeigt.

Auf dem 54. International Electron Device Meeting (IEDM) in San Francisco stand der Übergang zu neuen Prozessgenerationen im Fokus. Einer der Höhepunkte war die Präsentation des 32nm-High K/Metal-Gate-Prozesses von Intel, dessen Serieneinsatz in der zweiten Jahreshälfte 2009 beginnen soll.

Zu den ersten 32-nm-Prozessoren soll »Westmere« gehören, der bis auf die kleineren Strukturen nur wenig veränderte Nachfolger des kürzlich mit 45-nm-Technik als Core i7 eingeführten »Nehalem«. Intel wechselt dabei auf 193-nm-Immersionslithografie.


Wie bei der 45-nm-Technik setzt Intel auch bei der 32-nm-Generation auf »HKMG«, also eine »High-k«-Isolationsschicht (aus einer Hafniumverbindung) zwischen den Gate-Elektroden und den Kanälen der Chip-Transistoren, die eine besonders hohe Dielektrizitätszahl aufweist, sowie auf Gate-Elektroden aus einer speziellen Metalllegierung (Metal Gate).
HKMG und das Strain-Verfahren tragen dazu bei, dass laut Intel die höchsten Treiberströme die jemals für PMOS und NOMS gemessen wurden, erreicht werden können. Ein 32 nm-Transistor dürfte damit ca. 20 Prozent schneller sein als sein 45-nm-Vorgänger. Die Prozesskosten sollen laut Intel nur um 4 Prozent steigen, da keine zusätzlichen Maskensätze notwendig werden.

»Testvehikel« für den 32 nm-Prozess war ein 291 Mbit großer SRAM-Chip, dessen SRAM-Zellgröße 0,171 µm² beträgt, der mehr als 1,9 Mrd. Transistoren enthält sowie eine Dichte von 4,2 Mbyte/mm² aufweist.