Infineons »OptiMOS 3« spart Energie

Die Energieeffizienz von Netzteilen in Computern, Telekommunikationsgeräten und Konsumelektronik lässt sich dank der neuen Leistungshalbleiter-Familie »OptiMOS 3« von Infineon weiter steigern.

In typischen DC/DC-Anwendungen bieten diese 30-V-N-Kanal-MOSFETs höhere Zuverlässigkeit, einen geringen Einschaltwiderstand, bessere Leistungsdichte und geringere Gate-Ladung. Nach Berechnungen von Infineon könnte ein 360-MW-Kraftwerk eingespart werden, wenn allein in allen Server-Stromversorgungen des weltweiten Internets der »OptiMOS 3« den Wirkungsgrad erhöhen würde.

Der höhere Wirkungsgrad resultiert daraus, dass Infineon den Durchlasswiderstand der OptiMOS-3-MOSFETs im Vergleich zu OptiMOS 2 um 30 Prozent senken konnte. So erreicht der leistungsfähigste OptiMOS-3-Typ in einem SuperSO8-Gehäuse einen maximalen Durchlasswiderstand von 1,6 mOhm, statt der bisher üblichen 2,2 mOhm. Dieser niedrige Durchlasswiderstand führt zu geringeren Leitungsverlusten bzw. reduzierter Leistungsaufnahme beim Einschalten. Weitere Informationen veröffentlicht »Markt&Technik« in ihrer Ausgabe 45 vom 10. November im »Thema der Woche«.