Infineon: Erste Dual-Band-RF-CMOS-Technologie

Infineon hat den erfolgreichen Abschluss der »Tape-Out«-Phase für eine integrierte Schaltung bekannt gegeben, die einen Dual-Band UWB- (Ultra-Wideband) RF-Transceiver darstellt.

Diese Technologie, die auf dem praxisbewährten Low-Power-CMOS-Prozess von Infineon basiert, ebnet den Weg zu vollständig integrierten SoCs für die High-Speed-Kommunikation, die für mobile Geräte wie Handys, PDAs (Personal Digital Assistants), Camcorder, Digitalkameras und MP3-Player optimiert sind. Nach Einschätzung des Marktforschungsunternehmens IMS Research werden bereits im Jahr 2010 rund 120 Mio. Mobiltelefone die UWB-Technologie nutzen.

Die Dual-Band-Schaltung unterstützt zum einen das Frequenzband im Bereich zwischen 3 und 5 GHz. Zusätzlich wird das Frequenzband von 6 GHz bis zu 9 GHz unterstützt, entsprechend der Definition des Frequenzplans der WiMedia Alliance. Die UWB RF-CMOS-Transceiver-Technologie eignet sich ideal für Ultrabreitband-Systeme, die mit Certified WirelessUSB oder Bluetooth-over-WiMedia arbeiten. Die jetzt vorgestellte Schaltung soll eine wichtige Kernkomponente für Hersteller von UWB-Systemen sein, die Anwendungen wie drahtloses Video-Streaming, Download von Bildern und Dateiübertragung mit bis zu 480 MBit/s unterstützen. Die UWB RF-CMOS-Transceiver-Technologie ist zwar für den Mobilgerätemarkt optimiert, eignet sich aber auch für PCs, DVD-Player, Fernsehgeräte, Drucker und ein breites Spektrum von Geräten der Unterhaltungselektronik. Infineon will bis Mitte 2007 einen UWB CMOS-Single-Chip einschließlich MAC, PHY und RF entsprechend der WiMedia UWB-Spezifikationen bereitstellen.