IBM gibt Start für 32-nm-Designs frei

Zusammen mit seinen Partnern aus der Chip-Allianz ist es IBM gelungen, den 32-nm-Fertigungsprozess soweit zu verbessern, dass demnächst mit der Herstellung von Prototypen begonnen werden kann.

Zu der Chip-Allianz um IBM gehören Chartered Semiconductor, Freescale, Samsung Electronics, STMicroelectronics, Toshiba und Infineon.
IBM gab bekannt, dass ab sofort ein Design-Kit zum Entwurf von 32-nm-Chips bereit steht. Ab dem dritten Quartal 2008 könne dann mit der Fertigung von Prototypen begonnen werden. Dazu nutzt IBM ein »Prototyping Shuttle Program«, bei dem die Designs der verschiedenen Hersteller auf gemeinsamen Test-Wafern gefertigt werden.

Für die Transistoren verwendete IBM dabei die im Januar 2007 vorgestellte »High-k/metal gate«-Technologie. Dabei besteht das Gate des Transistors nicht mehr aus Silizium, sondern aus einem Metall. Das Gate-Dielektrikum besteht statt aus Siliziumoxid aus einem Material mit einer höheren Dielektrizitätskonstante. Im Gegensatz zu Intel, das dazu Hafnium-Oxid verwendet, sagt IBM nicht, um welches Material es sich handelt.

Mit dem jetzt entwickelten Fertigungsprozess konnte IBM die Leistung der 32-nm-Chips im Vergleich zu 45-nm-Chips bei gleicher Spannung um bis zu 35 Prozent steigern. Gleichzeitig gelang es IBM, die Stromaufnahme um 30 bis 50 Prozent zu senken. Die Test-Chips wurden auf 300-mm-Wafern in IBM’s Fab in East Fishkill in New York gefertigt. Der Fertigungsprozess lässt sich sogar auf Strukturgrößen von 22 nm übertragen. Die Serienfertigung in diesem Prozess soll in der zweiten Jahreshälfte 2009 beginnen.

Als erstes Unternehmen hat Intel die »High-k/metal gate«-Technologie in seinen 45-nm-Chips eingesetzt.