Hynix und Numonyx entwickeln gemeinsam NAND-Flash

Die beiden Speicherhersteller wollen in den nächsten fünf Jahren gemeinsam NAND-Flash-Speicher auf Basis der »Charge Trap«-Technologie entwickeln.

Hynix und Numonyx wollen ihre Partnerschaft auf die Entwicklung von NAND-Flash ausdehnen. Damit wollen die beiden Unternehmen ihr Produktangebot vergrößern und Forschungsressourcen bündeln. Die Zusammenarbeit ist vorerst auf fünf Jahre angelegt.

Der CEO von Hynix Jong-Kap Kim sagte, dass eine Zusammenarbeit in der schnelllebigen Halbleiter-Industrie erfolgversprechender sei, als allein zu entwickeln.

Ein wesentlicher Teil der Zusammenarbeit ist offensichtlich die Weiterentwicklung der »Charge Trap«-Technologie, welche die bisher für NAND-Flash verwendete »Floating Gate«-Technologie ablösen soll. Numonyx verwendet diese Technologie bereits bei NOR-Flash-Speichern.

Außerdem wollen Hynix und Numonyx Mobile-DRAM in ihrer gemeinsamen 300-mm-Fab im chinesischen Wuxi nahe Shanghai fertigen.