Hynix lizenziert MRAMs

Mit der STT-MRAM-Technologie des amerikanischen Speicher-Entwicklers Grandis will Hynix neue Speicher herstellen.

Damit soll die Spin-Transfer-Torque-RAM-Technologie (STT-RAM) von Grandis in die Speicher von Hynix integriert werden. STT-RAM ist ein magnetischer RAM (MRAM), bei dem die Elektronen durch einen magnetischen Tunnelwiderstand geleitet werden. STT-RAMs sind nicht-flüchtig und bieten ähnliche Zugriffszeiten wie DRAM. Ein weiterer Vorteil der STT-RAMs ist, dass er sich auch für die Fertigung jenseits der 40 nm eignet.

Nach eigenen Angaben ist es Grandis gelungen, diese Technologie zur Produktreife zu führen. In einer Versuchfabrik können die Lizenznehmer die Herstellbarkeit und Funktion ihrer Produkte auf CMOS-Wafern prüfen.
Sung Wook Park, Chef der F&E-Abteilung von Hynix sagte: »Grandis ist führend in der STT-RAM-Technologie und besitzt eine große Anzahl von wichtigen Patenten auf diesem Gebiet.«

Hynix forscht seit Januar bereits gemeinsam mit Samsung an STT-RAMs. Zuletzt hatte Hynix hohe Verluste mit seinem DRAM-Geschäft hinnehmen müssen.