Hohe Avalanche-Festigkeit

Fairchild Semiconductors jüngster NPT-Trench-IGBT, der FGA25N120ANTD, ist aufgrund optimierter Zellenstruktur und eines Herstellungsprozesses aus dünnen Wafern in der Lage, eine Avalanche-Energie bis 450 mJ zu

Fairchild Semiconductors jüngster NPT-Trench-IGBT, der FGA25N120ANTD, ist aufgrund optimierter Zellenstruktur und eines Herstellungsprozesses aus dünnen Wafern in der Lage, eine Avalanche-Energie bis 450 mJ zu verkraften. Zu den weiteren Eigenschaften des für den Einsatz in Mikrowellenöfen und induktiven Kochfeldern konzipierten 1200-V-NPT-Trench-IGBTs zählen eine Sättigungsspannung (VCE(sat)) von 2 V sowie Schaltverluste (Eoff) von 0,96 mJ. Aufgrund einer integrierten Fast-Recovery-Diode vereinfacht der IGBT zudem das Schaltungsdesign. Fairchild Semiconductor Telefon: (08141) 6102-0, Telefax: (08141) 6102-100