Hochstrom-IGBT-Module

Auf Applikationen im Bereich Windkraft, Solar-Inverter, AC-Antriebe und MRI Amplifier zugeschnitten sind die Hochstrom-IGBT-Module der MWI-Familie von IXYS Semiconductor. Die in NPT3-IGBT-Technologie realisierten Module stehen in

Auf Applikationen im Bereich Windkraft, Solar-Inverter, AC-Antriebe und MRI Amplifier zugeschnitten sind die Hochstrom-IGBT-Module der MWI-Familie von IXYS Semiconductor. Die in NPT3-IGBT-Technologie realisierten Module stehen in 1200- und 1700-V-Ausführungen zur Verfügung. Der V(CE)SAT der 1200-V-Versionen bewegt sich zwischen 2,1 und 2,2 V, im Fall der 1700-V-Ausführungen liegt der V(CE)SAT-Wert zwischen 2,3 und 2,6 V. Je nach Modell liegen die Schaltströme der IGBT-Module zwischen 250 und 450 A. Untergebracht im E+Standard Package, zeichnen sich die Module durch niedrige Schaltverluste und niedrige Thermal-Impedance-Werte aus. IXYS Semiconductor E-Mail: [91]marcom@ixys.de, Telefon: (06206) 503249, Telefax: (06206) 503742