Hy-Line Power Components GaN-Schalter von transphorm ab Lager lieferbar

Auf der PCIM 2015 hat transphorm GaN-HEMTs mit 600 V Sperrspannung im TO-247-Gehäuse vorgestellt. Nun sind diese bei Hy-Line Power Components ab Lager lieferbar.

Neben High-Electron-Mobility-Transistoren aus Galliumnitrid (GaN-HEMTs) im TO-220- und PQFN-Gehäuse fertigt transphorm derartige Bauteile nun auch im TO-247-Gehäuse. Mit dem »TPH3205WS« sind Spitzenströme von 140 A und Dauerströme von 35 A bei einer Schaltspannung von 600 V und nur 63 mΩ Durchgangswiderstand sowie nur 7,2 ns Einschaltzeit möglich. Das TO-247-Gehäuse bietet einen geringen thermischen Übergangswiderstand, einfache Montage mit robustem Aufbau und Platz für einen großen, leistungsfähigen Chip.

GaN-Leistungshalbleiter bieten etliche Vorteile gegenüber MOSFETs und IGBTs aus Silizium, wie schnelleres Schalten mit geringeren Verlusten. Somit eignen sie sich insbesondere für hohe Schaltfrequenzen. Der geringe Einschaltwiderstand, die zulässigen Arbeitstemperaturen bis über +150 °C, die Abwesenheit eines Miller-Plateaus und der reduzierte Schaltungsaufwand – beispielsweise sind keine Freilaufdioden in Brückenschaltungen erforderlich – sind weitere Vorteile dieser Technologie. GaN-HEMTs von transphorm können mit Treiberschaltungen für Si-MOSFETs angesteuert werden.

Die Bausteine sind in allen drei Gehäuseausführungen bei Hy-Line Power Components ab Lager lieferbar; ebenso sind Entwicklungsboards verfügbar.