Für niedrige Gate-Spannung

<p>Speziell für Applikationen mit begrenzten Ansteuerspannungen hat Zetex drei n-Kanal- MOSFETs entwickelt.

Speziell für Applikationen mit begrenzten Ansteuerspannungen hat Zetex drei n-Kanal- MOSFETs entwickelt. Die 20-VBauelemente »ZXMN2 B03E6« (SOT236), »ZXMN2 B14FH« und »ZXMN2B01F« (beide SOT23) bieten ein verlustarmes Schalten bei einer Gate-Spannung von 1,8 V. Sie können dadurch mit zwei 1,2-V-Zellen oder einer Li-Ion-Zelle betrieben werden. Der RDS(on) dieser drei MOSFETs wird mit jeweils weniger als 75 mΩ, 100 mΩ und 200 mΩ an 1,8 V Gate- Spannung garantiert sowie mit 40 mΩ, 55 mΩ und 100 mΩ an 4,5 V. Sie schalten auch schnell um; so betragen zum Beispiel die Anstiegs- und Abfallzeiten des »ZXMN2B01F« 3,6 ns bzw. 10,5 ns.

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