Freescale: Smart-Power-Analog-Prozess mit 0,13 µm

Mit SMARTMOS 10 hat Freescale einen 0,13-µm-Fertigungsprozess vorgestellt, mit dem sich Leistungs-, Analog- und Digitalfunktionen leichter auf einem Chip kombinieren lassen. Im Vergleich zur Vorgängertechnologie weist SMARTMOS 10 um den Faktor 20 geringere Leckströme auf.

Damit eignet er sich besonders für alle portablen Anwendungen, bei denen Abmessungen, Batterielebensdauer, Klangqualität und Integrationsdichte eine Schlüsselrolle spielen.

Darüber hinaus wartet der Prozess laut Hersteller mit doppelt so guten Werten für den Abgleich der Analogparameter von FETs, Widerständen und Kondensatoren auf, was sich in einer besseren Auflösung bei A/D-Wandlern bemerkbar macht. Die Technologie kann Betriebsspannungen bis zu 30 V bewältigen und kann damit eine noch bessere, hellere und gleichmäßigere LED-Hintergrundbeleuchtung gewährleisten. Sie erlaubt die Integration digitaler Hochgeschwindigkeitsfunktionen bei geringen Leckströmen und ermöglicht auch die dichte Anordnung von so genannten "Fuses", mit deren Hilfe sich Bausteine kundenspezifisch programmieren bzw. kalibrieren lassen oder eine Parallelprogrammierung möglich wird. Darüber hinaus bietet sie dank einer "Buried Layer"-Isolation laut Hersteller exzellente Werte für Signalisolierung und Latch-up-Immunität.

In Drahtlosgeräten wie Handys und Konsumelektronikanwendungen kann SMARTMOS 10 für eine höhere Integrationsdichte für Leistungs-, Analog- und Digitalfunktionen sorgen. Die Technologie soll ein Single-Chip-Produkt möglich machen, welches die verschiedensten Funktionen verwalten kann – von der Batterieversorgung über Schutzfunktionen bis hin zu Farbdisplays, Tastaturen, digitalem High-Speed-USB, Mikrofonen und Lautsprechern.

Die ersten auf SMARTMOS 10 basierenden Produkte sollen 2008 erhältlich sein.

Freescale Halbleiter Deutschland
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