Fortschritt bei der MRAM-Technologie

Toshiba hat eine MRAM-Technologie entwickelt, die auf einer Festplatten-Technologie beruht.

Magneto-resistive Random Access Memory (MRAM) ist eine nichtflüchtige Speichertechnik, die seit den 90er Jahren entwickelt wird. Im Gegensatz zu herkömmlichen Speichertechniken, wie das DRAM oder SRAM, werden die Informationen nicht mit elektrischen, sondern mit magnetischen Elementen gespeichert, das heißt, es wird die Eigenschaft bestimmter Materialien ausgenutzt, die ihren elektrischen Widerstand unter dem Einfluss magnetischer Felder ändern.

Toshiba hat dafür nun ein Material mit hoher magnetischer Anisotropie (perpendicular magnetic anisotropy) verwendet. Dadurch wird ein räumlich stark beschränktes Magnetfeld erzeugt, wie es auch bei Festplatten genutzt wird. Da es in Speicherzellen keinen Lesekopf wie bei Festplatten gibt, werden die Daten mit Hilfe des Elektronen-Spin-Transfers über eine Matrix gelesen bzw. geschrieben.

Mit dieser Technik will Toshiba die Kapazität von MRAM-Zellen deutlich erhöhen, da sich damit eine hohe Integration von Daten erzielen lässt.