Flash-Speicher in 43 nm

Sandisk und Toshiba haben auf der ISSCC gleich zwei wegweisende Entwicklungen bei NAND-Flash-Speichern vorgestellt.

Sandisk und Toshiba sind bei den Strukturgrößen in der Chip-Herstellung einen Schritt vorangekommen. Die beiden Unternehmen haben vorige Woche auf der International Solid State Circuits Conference (ISSCC) einen Multi-Level-Cell-NAND-Flash-Speicher vorgestellt, der in 43-nm-Technologie gefertigt wird. Die Auslieferung der neuen Speicher ist für dieses Jahr geplant.

Die Kapazität der Speicher soll vorerst 16 Gbit und Ende des Jahres dann 32 Gbit betragen. Im Gegensatz zur Fertigung in 56 nm ist die Datendichte nach Angaben von Sandisk dabei doppelt so hoch. Die 43-nm-Speicher werden in einer gemeinsamen Fabrik beider Unternehmen in Japan auf 300-mm-Wafern gefertigt.

Sandisk und Toshiba ist es außerdem gelungen, die Anzahl der Bits pro Zelle bei Multi-Level-Cell-Speichern von derzeit zwei auf drei zu erhöhen. Damit lassen sich 20 Prozent mehr Chips auf einem Wafer fertigen. Der »x3«-Flash-Speicher wird in 56-nm-Technologie hergestellt. Die Produktion von 16-Gbit-Speichern mit der neuen Technologie soll spätestens im April dieses Jahres beginnen.