FET aus Papier

Prof. Elvira Fortunato von der Neuen Universität Lissabon hat einen Feldeffekt-Transistor (FET) entwickelt, bei welchem Papier aus Zellulosefasern nicht als Träger, sondern als Aufbaumaterial verwendet wurde.

Das Papier arbeitet hier als dielektrische Schicht zwischen Dünnfilmen aus Halbleiteroxid auf beiden Papierseiten. Dieser FET verfügt über gute physikalische Basisdaten wie ein On/Off-Verhältnis von 104, seine Stabilität unter normalen Bedingungen blieb mindestens zwei Monate unverändert.

Dünnfilmtransistoren aus dem gleichen halbleitenden Oxid, aber auf Glas oder Silizium, waren nicht besser. Verglichen mit amorphen Si-Transistoren zeigte der Papiertransistor sogar Vorteile. Die Leckströme im Off-Zustand (wegen des porösen Papiers) lassen sich mit besserem Papier verringern.

Dann wäre dieser Transistor ein echter Fortschritt in Richtung auf „Einmal-Elektronik“, wie man sie für die Warenlogistik und Biosensoren sucht. Eine Publikation hierzu erschien in der Septemberausgabe von IEEE Electron Devices Letters, Band 29, Ausgabe 9, Seite 988 ff.

(EF)