Erste 45-nm-ICs

IBM, Chartered Semiconductor, Infineon und Samsung Electronics haben die ersten komplexen Schaltungen mit einer Strukturbreite von 45 nm realisiert und ein erstes Design-Kit für diese Technologie entwickelt.

Die Basis bildet die gemeinsam entwickelte Low-Power-Prozesstechnologie. Die Partner stellen die ersten Schaltungen in Silizium und die Design-Kits sehr früh zur Verfügung, um den Chip-Designern zügigen Einstieg in die 45-nm-CMOS-Prozesstechnologie zu ermöglichen. Die ersten funktionalen Schaltungen in 45-nm-Technologie hat die Allianz in der 300-mm-Fertigung von IBM in East Fishkill, New York, hergestellt, wo auch das gemeinsame Entwicklungsteam angesiedelt ist. Zu den verifizierten Schaltungsblöcken gehören Standardzellen und I/O-Elemente von Infineon sowie Embedded-Speicher, die die Allianz entwickelt hat. Infineon hat auf den ersten 300-mm-Wafern spezielle Schaltungen beigesteuert, mit denen sich der Prozess besser analysieren lässt, und die es erlauben, weitere Rückschlüsse zur Interaktion zwischen Produkt und Architektur zu ziehen.

Um den Übergang auf den neuen Prozess für die Entwickler möglichst komfortabel zu gestalten, haben die vier Partner ihre Design-Expertise in die Entwicklung der Design-Kits einfließen lassen. Außerdem haben sie darauf geachtet, dass sich die Produkte auf den verschiedenen Fertigungslinien der Allianz produzieren lassen. Der neue 45-nm-Low-Power-Prozess wird voraussichtlich bis Ende 2007 auf den 300-mm-Fertigungsanlagen von Chartered, IBM und Samsung installiert und qualifiziert sein.