Samsung konnte im Vergleich zu den Vorgänger-Bausteinen die Speicherkapazität verdoppeln und die Schreibgeschwindigkeit von 9,3 MByte/s auf 17 MByte/s erhöhen. Die OneNAND-ICs vereinen die hohe Lesegeschwindigkeit von NOR-Flash-Speichern und die hohe Kapazität und Schreibgeschwindigkeit von NAND-Flash-ICs. Dadurch eröffne sich – so die Unternehmensangaben - ein »enormes Marktpotenzial« für eine Vielzahl von Anwendungen, angefangen bei Multimedia-Telefonen über Digitalkameras und auswechselbare Speicherkarten bis hin zu PCs und digitalen Fernsehgeräten. Auch lassen sich die ICs als Basiskomponenten in hybrid aufgebauten Festplatten (Hybrid-HDD) einsetzen, um dort als Pufferspeicher zu arbeiten.
Außerdem ist es möglich, mehrere OneNAND-ICs zu einem System zusammenzuschalten. Dabei kann jeder Chip unabhängig mit dem System interagieren. So lässt sich die Schreibgeschwindigkeit der OneNAND-Chips auf bis zu 136 MByte/s steigern, wenn beispielsweise acht 2-GBit-ICs zusammenarbeiten. Samsung fertigt die Speicher mit einem 60-nm-Herstellungsprozess.
: Der nächste OneNAND: schnelles 2-GBit-IC
