CoolMOS-C6: Die ersten MOSFETs sind da

Auf der »China Power Show« hat Infineon die ersten MOSFETs der neuen CoolMOS-C6-Familie vorgestellt.

Konkret handelt es sich um zwei Hochvolt-MOSFETs: den IPA60R190C6 in einem TO-220-Gehäuse und den IPD60R950C6 in einem DPAK-Gehäuse. Beide MOSFETs haben eine Sperrspannung von 600 V. Der Einschaltwiderstand (RDS(on)) des IPA60R190C6 beträgt 190 mΩ, beim IPD60R950C6 sind es 950 mΩ.

Muster der beiden Bausteine gibt es ab sofort, die Serienfertigung soll im August starten.

Die CoolMOS-C6-Familie ist Infineons 5. Generation der CoolMOS-MOSFETs, die es seit 1998 gibt. Sie kombiniert die Vorteile der Superjunction-Technologie wie einen niedrigen Einschaltwiderstand und die geringen kapazitiven Verluste mit der Belastbarkeit von konventionellen MOSFETs.