Bipolartransistoren mit niedriger Sättigungsspannung

ON Semiconductor hat Bipolartransistoren (BT) mit niedriger Sättigungsspannung vorgestellt. Diese PNP- und NPN-Bauteile der Baureihe NSSxxx liefern laut Hersteller einen höheren Wirkungsgrad und eine längere Batterielebensdauer als herkömmliche BTs oder planare MOSFETs.

Sie eignen sich für eine Vielzahl von mobilen Anwendungen und sind nun in vielfältigen Gehäusevarianten verfügbar, einschließlich WDFN, SOT-23, SOT-223, SOT-563, ChipFET und SC-88. Die UCE(sat) beträgt 45 mV bis 1 A Emitterstrom, wobei die Stromverstärkung bei 300 liegt. Darüber hinaus bieten diese Bauteile eine hohe Toleranz gegen ESD (Electrostatic Discharge) von mehr als 8000 V und enthalten einen Selbstschutz gegen unerwartete Spannungsspitzen und Beschädigung. Die mittleren Schaltgeschwindigkeiten gewährleisten ein niedrigeres Rauschen als MOSFETs und daher eignen sich die Bauteile besonders für Anwendungen, in denen elektromagnetische Interferenz gesteuert werden muss.

Die Bauteile kosten zwischen 0,14 US-Dollar und 0,27 US-Dollar pro Stück bei einer Bestellmenge von 10.000 Stück.