Alternative zu MOSFETs im TSOP-6-Gehäuse

Vishay Intertechnology hat sieben p-Kanal-Leistungs-MOSFETs in einem neuen PowerPAK-ChipFET-Gehäuse präsentiert, das 3mm x 1,8 mm groß ist und sich durch verbesserte thermische Eigenschaften auszeichnet.

Die neuen PowerPAK-ChipFETs sind eine Platz sparende Alternative zu MOSFETs im TSOP-6-Gehäuse; sie bieten einen um 75% geringeren Wärmewiderstand, eine um 33% kleinere Grundfläche und eine um 23% geringere Bauhöhe (0,8 mm). Die maximal zulässige Verlustleistung ist mit 3 W genauso hoch wie bei dem wesentlich größeren SO-8-Gehäuse.

Die neue MOSFET-Familie umfasst Einfach- und Zweifach-Typen sowie einen Einfach-Typ mit integrierter Schottky-Diode mit Sperrspannungen von 12 V und 20 V. Die p-Kanal-Version mit integrierter Schottky-Diode eignet sich als Ersatz für Typen im SO-8-Gehäuse zur Verwendung als Laderschalter in tragbaren Geräten oder DC/DC-Wandlern, wie sie beispielsweise in Festplattenlaufwerken und Spielkonsolen vorkommen.

Bei einem typischen Wärmewiderstand RthJC von 3 K/W hat der Einkanal-Typ mit 20 V Sperrspannung einen maximalen On-Widerstand von nur 0,021 Ω und der Zweifach-Typ einen On-Widerstand von 0,064 Ω – laut Hersteller eine Verbesserung um bis zu 50% im Vergleich zu Leistungs-MOSFETs im TSOP-6-Gehäuse. Komplementär-MOSFETs mit je einem n-Kanal- und einem p-Kanal-Typ im gleichen Gehäuse haben einen On-Widerstand von nur 0,039 Ω (n-Kanal) bzw. 0,072 Ω (p-Kanal).

Alle diese neuen PowerPAK-ChipFET-Typen sind anschlusskompatibel mit Produkten im Standard-ChipFET-Gehäuse. Produktionsstückzahlen sind lieferbar.