65-nm-Technik: Kooperation in der Gehäuseforschung

Chartered Semiconductor Manufacturing und A*STAR's Institute of Microelectronics (IME), Singapur, haben ein Forschungsabkommen unterzeichnet

Gemeinsames Ziel ist es, eine Reihe von Fine-Pitch-Gehäusetechniken für Kupfermetallisierung und Low-k-Dielektrikum-Prozesse mit 65-nm-Strukturen und darunter zu entwickeln. Die Forschung basiert auf den 65-nm-Prozessen, die Chartered und seine Partner (IBM, Infineon Technologies und Samsung Electronics) gemeinsam entwickelt haben.