600-V-MOSFETs mit niedriger Gate-Ladung

Fairchild bringt zwei neue Super-Junction-MOSFETs für 600 V mit niedrigem Eingangswiderstand und Gate-Ladungen von unter 45 nC heraus.

Die MOSFETs mit den Bezeichnungen FCP16N60N und FCPF16N60NT stecken in einem TO-220- bzw. TO-220F-Gehäuse. Bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V und einem Drain-Strom von 8 A beträgt der Wert des Eingangswiderstands 170 mΩ. Die Gate-Ladung wird mit 40,2 nC angegeben. Maximal ist ein kontinuierlicher Strom von 16 A möglich. Die Durchbruchspannung liegt bei 600 V.

Beim FCP22N60N, FCPF22N60NT und dem FCA22N60N wird der Eingangswiderstand bei 10 V und 11 A mit 140 mΩ angegeben. Bei 25 °C ist ein maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 22 A, in Spitzen bis 66 A möglich. Die Gate-Ladung beträgt 45 nC. Die unterschiedlichen Bezeichnungen der MOSFETs beziehen sich ebenfalls auf unterschiedliche Gehäuse-Typen. Die Sperrverzögerungszeit beträgt 350 ns, die Sperrverzögerungsladung 6 µC.