34-nm-NAND-Flash geht in Serie

Bei NAND-Flash haben Intel und Micron derzeit die Nase vorn. Ihr gemeinsam entwickelter 34-nm-NAND-Flash-Speicher geht jetzt in die Serienfertigung.

Bei dem Speicher handelt es sich um einen 32-Gbit-MLC-Speicher (Multi Level Cell). Im Juni hatte das Joint Venture von Intel und Micron, IM Flash Technologies, erste Muster an seine Kunden geliefert.

Die 172 mm² großen Chips werden auf 300-mm-Wafern im amerikanischen Bundesstaat Utah gefertigt. Im nächsten Jahr will IM Flash Technologies mit dem 34-nm-Prozess auch Speicherbausteine mit geringerer Kapazität und in SLC-Technologie (Single Level Cell) anbieten.

Zuletzt hatte Toshiba einen 16-Gbit-NAND-Flash-Baustein (SLC) in 43 nm angekündigt.