32-Gbit-NAND-Flash in 34 nm

Noch in diesem Jahr wollen Intel und Micron mit der Serienproduktion eines NAND-Flash-Speicher-Chips in 34 nm beginnen. Damit soll sich die Speicherdichte von derzeitigen SSDs auf einen Schlag verdoppeln.

Der in 34 nm gefertigte »Multi Level Cell«-Chip ist 32 Gbit groß. Das ist die derzeit kleinste Struktur, in der Halbleiter industriell hergestellt werden. Die Chips und die Prozesstechnologie wurden von Intels und Microns NAND-Flash-Joint-Venture IM Flash Technologies entwickelt.

Der 32-Gbit-Chip passt in ein TSOP48-Gehäuse (12 mm x 18,4 mm x 0,5 mm). Der »Die« selbst misst 1,72 cm². Ab Juni erhalten die ersten Kunden Muster der neuen Speicher, in der 2. Jahreshälfte sollen sie in die Massenfertigung gehen. Geplant sind u.a. Bausteine, die 8 übereinander gestapelte Dies enthalten. 2 solcher Chips hätten dann eine Kapazität von 64 Gbyte.

Hauptziel für Anwendungen dieser Chips sind SSDs (Solid State Drives). Nach Angaben von Intel und Micron verdoppelt sich die Speicherdichte von derzeitigen SSDs mit der neuen Technologie.