28 nm: Toshiba und NEC jetzt bei IBM im Boot

Nachdem Toshiba und NEC Electronics bereits seit längerem mit IBM in der generellen Halbleiter-Prozess-Entwicklung kooperieren, wurde die Zusammenarbeit jetzt auch auf die Entwicklung eines High-K/Metal-Gate-Prozesses in 28 nm-Geometrie ausgedeht.

Damit sind jetzt die Foundries Chartered und Globalfoundries sowie die Halbleiterhersteller Infineon, NEC, Samsung, ST Microelectronics und Toshiba Mitglied in der bei IBM in East Fishkill. New York angesiedelten Allianz.

Wie bereits berichtet, will IBM mit 32 nm in der ersten Hälfte 2010 in die Produktion gehen, 28 nm soll in der zweiten Hälfte 2010 folgen.

Auf dem VLSI-Symposium in Kyoto, Japan, stellte die weltgrößte Foundry TSMC einstweilen eine erste 64-Mbit-SRAM-Zelle auf Basis eines 28 nm-Prozesses vor. Die zweitgrößte Foundry UMC hatte bereits Ende 2008 gesagt, dass man erste 28-nm-Chips sowohl in High-K/Metal-Gate als auch in Silizium-Dioxid-Technologie gefertigt habe. Ein Datum für den Produktionsstart steht freilich noch aus.