20-V-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand

Der kleinste von sieben neuen Bausteinen der »ECOMOS«-Reihe von Rohm hat bei 1,2 V Einschaltspannung einen Einschaltwiderstand von 1,6 Ω.

Zu den neuen 20-V-MOSFETs der »ECOMOS«-Reihe gehören sieben Bausteine. Dabei handelt es sich um N-Kanal-, P-Kanal- oder Dual-MOSFETs.

Der Drain-Strom bei allen Mitgliedern dieser Reihe beträgt 0,2 A. Der Baustein mit dem niedrigsten Einschaltwiderstand ist der N-Kanal-MOSFET RUM002N02. Bei der niedrigsten Einschaltspannung von 1,2 V liegt der Wert bei 1,6 Ω, bei 2,5 V sind es 0,8 Ω. Die Verlustleistung beträgt 150 mW. Das Gehäuse des RUM002N02 ist 1,2 mm x 1,2 mm x 0,5 mm groß.

Beim P-Kanal-MOSFET RZM002P02, der ebenfalls in solch einem Gehäuse steckt, beträgt der Einschaltwiderstand 2,4 Ω bei 1,2 V.