190-V-MOSFET mit 1,8 V Einschaltspannung

Der SiA850DJ von Vishay ist ein n-Kanal-MOSFET mit einer integrierten Freilaufdiode, der sich bereits mit einer Spannung von 1,8 V einschalten lässt.

Der Einschaltwiderstand des SiA850DJ liegt bei einer Gate-Source-Spannung von 1,8 V bei 17 Ω und der Drain-Strom bei 0,3 A. Bei einer Einschaltspannung von 2,5 V liegen diese Werte bei 4,2 Ω und 0,9 A. Bei 4,5 V sind es 3,8 Ω und 0,95 A.

Die maximale Drain-Source-Spannung des SiA850DJ beträgt 190 V. Die integrierte Freilaufdiode schützt den MOSFET ebenfalls vor Gegenspannungen bis zu 190 V.

Die Abmessungen des SiA850DJ betragen 2 mm x 2 mm x 0,75 mm. Muster des Bausteins gibt es ab sofort.