16 Gbit NAND-Flash in 43 nm

Toshiba stellt einen neuen NAND-Flash-Chip vor, der in einer Strukturgröße von 43 nm gefertigt wird. Damit verdoppelt sich die Speicherkapazität zur Vorgängergeneration.

Die SLC-Speicher (Single Level Cell) bestehen aus einem 16 Gbit großen monolithischen Chip. Zwei bis drei dieser Chips lassen sich in einem 32 Gbit bzw. 64 Gbit großen Modul unterbringen. Die Kapazität der in 43 nm gefertigten Speicher soll doppelt so hoch wie die bisher in 56 nm gefertigten Speicher sein.

Der 16-Gbit-Chip mit der Bezeichnung TC58NVG4S2EBA00 läuft bei einer Versorgungsspannung von 3,3 V. Seine Zugriffszeit beträgt 25 ns und er ist 14 mm x 18 mm groß. Er soll im ersten Quartal 2009 auf den Markt kommen. Ab dem zweiten Quartal sollen weitere Module dazukommen.

Im April hatte IM Flash Technologies, das Joint Venture von Micron und Intel, einen 32-Gbit-Chip angekündigt, der in 34 nm gefertigt wird. Allerdings handelt es sich um einen Multi-Level-Cell-Chip (MLC), der langsamer als ein SLC ist.