1200-V-Trenchstop2-IGBTs: Weiches Ausschaltverhalten, hohe Pulsstromfestigkeit

Die neue 1200-V-Trenchstop2-Generation wurde für Schaltfrequenzen bis 20 kHz in hart schaltenden Anwendungen entwickelt. Das neue Zelldesign stellt weiche Schaltkurven, niedrigste induktive Transienten und eine sehr geringe EMI sicher.

Die antiparallele EmCon-Diode bewirkt eine weitere Reduzierung der Schaltverluste. Die wichtigsten Merkmale dieser IGBT-Familie sind eine Grenzschichttemperatur bis 175 °C, weiches Ausschaltverhalten, hohe Pulsstromfestigkeit und eine optimierte Freilaufdiode. Anwendung findet der IGBT unter anderem in Servoantrieben, unterbrechungsfreien Stromversorgungen sowie Solar-Umrichtern und Invertern in der Medizintechnik.